內存時序低好。
內存時序是描述同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）性能的參數，通常由一組用破折號分隔的數字表示，例如 16-18-18-36 等。這些數字分別代表不同的延遲時間，具體包括 CL（列地址訪問的延遲時間）、tRCD（內存行地址傳輸到列地址的延遲時間）、tRP（內存行地址選通脈沖預充電時間）和 tRAS（行地址激活的時間）等。較低的時序數值意味著內存模塊能夠更快地響應處理器的讀寫請求，從而提升計算機的整體性能。
然而，實際性能差異可能會受到多種因素的影響，包括處理器、主板和內存控制器等。在一些情況下，高頻率的內存即使時序較高，也可能由于其更快的數據傳輸速率而提供較好的性能。
對于普通用戶來說，內存時序對日常使用的影響可能并不明顯，因為大多數現代處理器和內存控制器都內置了優化算法，可以在一定程度上彌補時序上的差異。在選擇內存時，可先關注容量，再考慮頻率，最后對比時序。如果內存容量和頻率都相同，那么時序自然是越低越好。
例如，CL 值為 16 的內存比 CL 值為 22 的內存具有更低的延遲，在理論上能提供更快的性能。但如果一條內存的頻率較高但時序也較高，而另一條內存頻率稍低但時序很低，它們的實際性能可能就需要通過具體測試來比較了。
同時，較低的內存時序通常需要更高的電壓供應，這會增加內存模塊的能耗和散熱壓力。特別是在超頻或高負載情況下，較低的內存時序可能會導致內存溫度過高，進而影響計算機的穩定性。
總之，選擇合適的內存時序需要綜合考慮多個因素，包括預算、性能需求、穩定性和個人喜好等。只有在實際應用場景中找到最適合自己的內存時序，才能充分發揮計算機的性能優勢。